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三星全球首秀 3nm!电压只需 0.23V来源:驱动之家 这几年,台积电在半导体工艺上一路策马扬鞭,春风得意,能够追赶的也只有三星了,但是后者的工艺品质一直饱受质疑。 IEEE ISSCC 国际固态电路大会上,三星 ( 确切地说是 Samsung Foundry ) 又首次展示了采用 3nm 工艺制造的芯片,是一颗 256Gb ( 32GB ) 容量的 SRAM 存储芯片,这也是新工艺落地传统的第一步。 在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm 都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括 11/8/6/5/4nm 等等。 ![]() GAAFET 技术又分为两种类型,一是常规 GAAFET,使用纳米线 ( nanowire ) 作为晶体管的鳍 ( fin ) ,二是 MBCFET ( 多桥通道场效应晶体管 ) ,使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片 ( nanosheet ) 。 ![]() 按照三星的说法,3GAE 工艺相比于其 7LPP,可将晶体管密度增加最多 80%,性能提升最多 30%,或者功耗降低最多 50%。 或许,这可以让三星更好地控制芯片功耗、发热,避免再出现所谓的 " 翻车 "。 三星 3nm 预计明年投入量产,但尚未公布任何客户。 ![]() ![]() |